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本文介绍了一种用于制造中心波长800nm宽带脉冲压缩光栅的多层介质高反膜，它采用三种电介质(Ta2O5/SiO2/HfO2)以电子束蒸发的方法制作而成，该高反膜的光学性能达到了制作光栅的要求。通过对其损伤实验发现，在激光脉宽分别为50fs和150fs的条件下，得到其损伤阈值(LIDT)分别可以达到1.0J/cm2和2.0J/cm2(57°，TE模，800nm)，并且用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对这两种情况下的近阈值能量密度损伤形貌进行分析，从而对其损伤行为进行研究。而且对获得如此高的损伤阈值的原因进行分析。这种用三种介质制作的高反膜为800hm脉宽压缩光栅的制作打下了坚实的基础，可能也为用于超短脉冲激光系统中的宽带800nm高反膜提供了新的思路。