Synthesis,characterization and Fermi level tuning of few-layer topological insulator nanoplate with

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yh124712
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Atoms are the building blocks of all materials.The control of the geometric,electronic and magnetic properties of atomic-scale structures provides model systems for the understanding and fabrication o
石墨烯是由碳六元环组成的二维周期性结构材料.由于其具有高热导性、高电子传输速率、大比表面积以及零带隙等一系列优良性质,所以石墨烯在材料领域将有着广泛的应用.而在石墨烯的许多应用中均需要实现大面积、厚度和尺寸可控的高质量石墨烯材料.通过化学气相沉积法(CVD)在金属表面制备石墨烯是目前应用最为广泛地制备大面积单层石墨烯的方法.
A microscopic investigation is carried out on dye molecule adsorption configurations on TiO2 surface,which is a key factor in dye-sensitized solar cells (DSSC).We study the adsorption structures in Eo
众所周知,一束光在电介质界面全反射时,会相对于入射位置有侧向移动.这一现象被称为Goos-H nchen (GH) 位移 [1].在局域应力或磁场存在的情况下,谷或自旋依赖的GH 位移被提议用作实现电子束的谷 [2] 或自旋 [3] 分离.我们注意到,要有效地实现这些分离器,不同谷或自旋的GH 位移的差值应该比电子束的纵向宽度大.在石墨烯单势垒结构中,如果不合适地选择结构参数,这一条件不能被满足.
通过隧穿势垒,磁性金属可在无磁场及室温条件下实现对半导体的自旋极化电子注入,从而实现半导体对电子自旋的可控.因此,磁性金属-半导体异质结相关性质的研究已成为半导体领域的研究热点.鉴于IV-VI族半导体在提高自旋注入效率上具有潜在的优势,本课题组选取了典型磁性过渡族金属Mn,对其在PbTe(111)表面上的生长行为用扫描隧道显微镜(STM)和光电子能谱进行了系统研究,并辅以了第一性原理的理论计算.
Abstract text.(The adhesion of graphene on slightly lattice-mismatched surfaces,for instance,of hexagonal boron nitride (hBN) or Ir(111),gives rise to a complex landscape of sublattice symmetry-breaki
采用熔体快淬或高能球磨的方法制备的SmCo5纳米晶永磁材料具有高矫顽力和高居里温度[1],具有潜在的应用价值.但这类材料是磁各向同性的,磁能积较低,在很大程度上限制了实际应用.对此,我们采用放电等离子热变形技术研制了各向异性SmCo5纳米晶磁体[2],本文对这种新型磁体的结构和磁性能进行了表征.
Since the serious electromagnetic interference due to the widespread application of information technology and wireless communications,there is an increasing demand for the development of novel and ef
会议
In recent years,considerable attention has been paid to the soft and hard magnetic nano-composite systems due to their charming application foreground on improvement in the magnetic properties.For the
Metal-organic frameworks (MOFs) may exhibit a variety of interesting physical and chemical properties.Here we demonstrate the magnetoelectric (ME) coupling in a metal-organic framework [(CH3)2NH2]Mn(H