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用射频磁控溅射的方法得到了低应力立方氮化硼薄膜。红外光谱结果表明薄膜具有很好的附着力，且含有少量的E-BN和w-BN。电子衍射谱表明薄膜表层是纯的立方相。同时利用此方法得到了E-BN的薄膜。本工作提出了薄膜生长过程可能经历了一个从E-BN到c-BN的相转变过程。
用气相沉积方法在低气压下制备BN的高压相：E-BN、c-BN、w-BN
【摘 要】
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用射频磁控溅射的方法得到了低应力立方氮化硼薄膜。红外光谱结果表明薄膜具有很好的附着力，且含有少量的E-BN和w-BN。电子衍射谱表明薄膜表层是纯的立方相。同时利用此方法得
【机 构】
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吉林大学超硬材料国家重点实验室吉林大学超分子结构与谱学开放实验室
【出 处】
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第十届全国高压学术讨论会
【发表日期】
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1999年10期
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