【摘 要】
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中子辐照硅单晶,入射粒子会与硅原子发生库仑作用、电磁作用或核反应,引起粒子能量的损失.晶格位受碰撞的原子获得的能量大于硅原子的位移能量阀值时,就会在晶体中产生空穴和
【机 构】
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河北工业大学材料学院,天津300130
【出 处】
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中国工程院化工、冶金与材料工学部第七届学术会议
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中子辐照硅单晶,入射粒子会与硅原子发生库仑作用、电磁作用或核反应,引起粒子能量的损失.晶格位受碰撞的原子获得的能量大于硅原子的位移能量阀值时,就会在晶体中产生空穴和自间隙原子对.他们会与硅单晶中的氧、氮、磷等杂质发生反应形成复合体,这些复合体对硅单晶原有的掺杂起补偿作用,使材料的电学性能发生改变.空位相关的复合体还会对硅单晶后续热处理过程中热施主、新施主、氮氧复合体及氧沉淀的形成产生影响.
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