【摘 要】
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随着射频电路(RF)工作频率及集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所射频与微波集成系统(上海)中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心中国
【出 处】
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上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会
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随着射频电路(RF)工作频率及集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势.本文分析了RF电路发展中遇到的挑战以及SOI在RF电路中应用优势,综述了当前国际上SOIRF电路的研究进展.
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