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利用MOCVD方法生长650nm发光波长的谐振腔发光二极管,利用光致发光谱和电致发光谱研究了其发光特性。由于上下布拉格发射镜的影响,导致其光致发光强度只有普通二极管的1/20;电致发光光谱纯度有了很大提高,半峰宽由普通二极管的20纳米降到4纳米以下。最好的器件测试结果表明可以在60mA,2.71V下,实现1.45mW以上发射功率。最窄半峰宽在3nm。