【摘 要】
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报告了对P-GaN实现低电阻欧姆接触的新型金属化方案.这个方案包括淀积多层金属Ti/Pd/Ni/Au(20A/300A/400A/500A),用快速热退火(RTA)合金850℃30S.对于掺杂浓度Na=3×10cm的P-
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室
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报告了对P-GaN实现低电阻欧姆接触的新型金属化方案.这个方案包括淀积多层金属Ti/Pd/Ni/Au(20A/300A/400A/500A),用快速热退火(RTA)合金850℃30S.对于掺杂浓度Na=3×10<’17>cm<’-3>的P-GaN,使用传输线方法(TLM)获得的接触电阻Rc=1.5×10<’-6>Ω.cm<’2>.对其形成低电阻的可能机理进行了讨论.
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