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在内电磁脉冲(IEMP)环境下工作的电子系统，将受到IEMP的损伤。电子系统中大量采用集成电路，而集成电路对电磁脉冲比较敏感，往往一个较大的电磁脉冲，会使集成块产生误码甚至烧毁。该文主要介绍了IEMP在CMOS集成电路上的电磁干扰以及计算机模拟。模拟时，IEMP采用高空核爆产生的HEMP公式来近似表征，选2000门门阵列FPGA芯片中的单元电路为模拟对象。根据CMOS集成电路IEMP损伤的失效机理及法拉第电磁感应定律推导出感应电动势的计算公式，建立CMOS集成电路的电路模型，模拟并分析IEMP感应出的干扰脉冲通过输入端，输出端及电源端，耦合进单元电路后对该电路造成的影响，最后对应不同的引线长度得出使集成电路产生瞬态损伤和永久性损伤的电场峰值。