【摘 要】
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用化学水浴法(Chemical Bath Deposition,CBD)在ITO玻璃衬底上制备了太阳能电池用的CuInS薄膜.用CBD法制备了CuS/InS的前驱体,然后在硫的气氛下硫化CuS/InS前驱体得到CuInS薄膜.利用XRD,SEM和EDX分别表征了薄膜的结构、表面形貌和成分.还研究了薄膜的厚度和光学性能.结果表明,所制得的样品为四方结构的多晶CuInS薄膜,Cu/In比接近化学计量比
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)
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用化学水浴法(Chemical Bath Deposition,CBD)在ITO玻璃衬底上制备了太阳能电池用的CuInS<,2>薄膜.用CBD法制备了Cu<,x>S/In<,2>S<,3>的前驱体,然后在硫的气氛下硫化Cu<,x>S/In<,2>S<,3>前驱体得到CuInS<,2>薄膜.利用XRD,SEM和EDX分别表征了薄膜的结构、表面形貌和成分.还研究了薄膜的厚度和光学性能.结果表明,所制得的样品为四方结构的多晶CuInS<,2>薄膜,Cu/In比接近化学计量比,其光学禁带宽度为1.50eV.
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