【摘 要】
：
采用共溅射Ge2Sb2Te5合金靶和si靶的方法制备了掺杂Si的Ge2Sb2Te5薄膜。掺杂Si提高了Ge2Sb2Te5薄膜的晶化温度和从面心立方晶相向六方晶相转变的温度。掺杂Si可显著提高薄膜
【机 构】
：
上海交通大学微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室
【出 处】
：
第三届上海纳米科技与产业发展研讨会
论文部分内容阅读
采用共溅射Ge2Sb2Te5合金靶和si靶的方法制备了掺杂Si的Ge2Sb2Te5薄膜。掺杂Si提高了Ge2Sb2Te5薄膜的晶化温度和从面心立方晶相向六方晶相转变的温度。掺杂Si可显著提高薄膜的晶态电阻率。当Si掺杂浓度为11.8at.％时,460℃退火后薄膜的晶态电阻率从1增加到11mΩ.cm。I-y特性显示,掺杂Si增加了器件的动态电阻,这有利于降低相变存储器的写电流。
其他文献
采用磁控溅射法制备了Cu/FeNi复合结构丝,并对其结构及巨磁阻抗(GMI)效应进行了研究。结果表明,Cu/FeNi复合结构丝具有良好的GMI效应,观察到的最大磁阻抗变化可达136％,同时发
城市规划在城市的可持续发展中很大程度上起到了决定性的作用,在当今经济日益发展的今天,环境问题也越来越受到人们的关注,习总书记曾说过,绿水金山就是金山银山,可见环境的
城市规划对城市的建设与发展有着重要的影响作用,为了促进城市的可持续发展,必须将低碳的理念引入城市规划的策略中.城市的发展离不开对资源的开发,而多度的开发又会给城市带
以巯基丙酸为(HS-CH2CH2COOH)为稳定剂,用改良的水相分散法,在水溶液中合成了高荧光性的CdSe半导体纳米晶,用层层静电自组装方法制备了CdSe/PDDA复合膜,并对其光学特性进行了
就建筑行业而言,造价控制属于建筑企业实现成本利用最大化、工程的经济收益最优化的一个关键性部分,基于造价涉及工程诸多方面,这就会导致建筑工程的造价出现超额的情况,这对
通过化学路线合成了吗啉-2,5-二酮(MD)环状单体,并用本体熔融开环聚合的方法制备了丙交酯(LA)、乙交酯(GA)及吗啉-2,5-二酮的共聚物。 用凝胶渗透色谱仪(GPC)分析了聚合物
低应力、低损伤CMP要求抛光压力有所降低,从而影响了抛光效率。为改善抛光效率,大粒径胶体二氧化硅成为CMP所急需的研磨料。本文以廉价的水玻璃为原料,采用离子交换一分水控
管廊一般指的是地下综合管廊,通俗的讲,是指埋在地下的管道.地下管廊密密麻麻,错综复杂,相互穿插.有资源源源不断的从这条地下管廊输入城市,城市中也有源源不断的垃圾从这里
纳米粒子由于其独特的性质,成为近几十年来世界各国研究的热点。聚羟基丁酸戊酸共聚酯(PHBV)作为一种生物高分子材料,由于本身具有一些缺点而限制了其应用。本文将纳米二氧化
三维原子探针(3DAP)是一种定量显微分析仪器,通过对不同元素的原子逐个进行分析,可绘出金属样品中不同元素的原子在纳米空间中的分布图形。本文介绍了3DAP的工作原理及样品制