【摘 要】
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该实验系统研究了SiC与添加剂对AlO-SiC制品性能的影响。结果表明：SiC加入量10℅-15℅在基质中形成紧密的网络结构；利用添加剂与碳素材料的反应，促进了制口若悬河的烧结与结合从而增强了制品的强度等性能。该结果为制取性能优良的烧成AlO-SiC复合材料提供了依据。
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该实验系统研究了SiC与添加剂对Al<,2>O<,3>-SiC制品性能的影响。结果表明：SiC加入量10℅-15℅在基质中形成紧密的网络结构；利用添加剂与碳素材料的反应，促进了制口若悬河的烧结与结合从而增强了制品的强度等性能。该结果为制取性能优良的烧成Al<,2>O<,3>-SiC复合材料提供了依据。
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测量了LaSrMnO(x≈0.125)单相多晶样品的超声声速与衰减随温度的变化关系.结果表明,在顺磁绝缘体-铁磁金属转变温度(Tc≈263K)附近超声声速出现软化,同时伴有尖锐的超声衰减峰.理论分析认为,Tc附近的超声异常主要源于自旋涨落效应.电阻、磁化率测量结果表明,在200K温度以下,体系出现铁磁金属、铁磁绝缘体和反铁磁绝缘体多相共存现象,同时超声声速出现巨大的软化并伴有很宽的衰减峰,升、降温
用低频扭摆法测试了低掺杂LaSrMnO巨磁电阻块材的内耗及弹性模量.所测试的温度范围内,在276和154K存在两个内耗峰,且在相应的温度,模量有明显的变化.结合电磁性能的测试结果,认为高温峰起源于顺磁绝缘体斜方相向铁磁金属斜方相的转变.低温峰则被解释为铁磁金属斜方相向铁磁金属正方相的转变.
用内耗的方法测量了钙钛矿结构锰氧化物LaCaMnO的内耗温度曲线Q(T).在260,222和105K温度处分别出现内耗峰.分析表明105K处的内耗峰与铁磁态中的电子相分离有关.222K处的内耗峰由两个次峰构成.峰温分别为222和234K,并且有弛豫特征,与绝缘畴和金属畴的相对移动有关.它们的激活能以及指数前因子分别为0.32eV,2.0×10s和0.38eV,2.5×10s.
通过电化学加氧方法获得额外氧含量δ=0.147、结构为Fmmm的LaNiO样品.低频内耗测量表明,400K温区附近存在一个相变内耗峰,它对应体系从低温正交Fmmm相到高温四方I4/mmm相的转变,模量和内耗的升、降温回滞现象反映此相变为一级相变.变频和改变升温速率内耗实验表明,内耗峰高与测试频率成反比,与升温速率成正比,具有马氏体相转变特征.低δ值的LaLiO样品无此相变峰,说明此峰应与低温正交F
测量了(1-x％)镁铌酸铅-x％钛酸铅(1≤x≤11)(简称PMNTx)陶瓷样品的介电常数、内耗和Youngs模量.观测到在Tm温度附近,即在介电常数达到最大值是,出现一个内耗峰,并且模量发生软化.这反映了极化纳米微畴的弛豫.对于PMNTx(5≤x≤11)的样品,在Tm温度以下的某个温度出现附加的内耗和Youngs模量的异常,表明样品中发生了自发的弛豫铁电到铁电(简称R-F)的相变.对R-F相变的
报道了用内耗和介电弛豫方法研究新型氧离离子导体LaAMoO(其中,A=Ca,Bi,K;x=0-0.3)的最新结果.结果表明,在内耗-温度谱和介电损耗-温度谱上出现了两个与氧空位短程扩散有关的内耗峰和介电弛豫峰,说明氧空位扩散至少有两个不等同的弛豫过程.掺杂后,两弛豫峰都移向高温,氧空位的扩散激活能增加,高温弛豫峰高度降低而低温弛豫峰略有升高.在适当的掺杂条件下(30％Ca,5％Bi或5％K),低温
该文研究了添加不同比例的金属Al，Mg对方镁石-尖晶石-碳耐火材料的碳化残存膨胀率，高温线膨胀，显气孔率，失重及抗氧性等性能的影响，研究表明，在添加剂总量为5℅，Al/Mg比为1时，残存膨胀率最小，比Mg/Al比为0时残存膨胀率减少了2倍，体积稳定性好，体密度最高。该文还通过添加剂制作不同气孔率的试样，探讨了气孔率和MgO与C氧化还原失重的关系，得到了失重率与显气孔率的线性关系式，证明了气体溢出是
以电熔刚玉砂\高纯电熔满面春风晶石为主要原料，添加复合抗氧化剂，以热固树脂为结合剂制成的刚玉尖晶石-炭不烧上水口，具有热态强度好，耐渣蚀性强，且工艺简单，在某钢厂90吨连铸包批量试用，较刚玉上水口寿命可提高50℅-60℅。