【摘 要】
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采用u-PCD测试晶体硅材料的少子寿命,研究了在磷扩散的P型多晶硅片上PECVD双面淀积氢化非晶氮化硅薄膜(a-SiNx∶H,简写为SiN),快速热处理工艺(RTP)以及在N2气氛中低温热处理SiN薄膜对多晶硅材料少子寿命的影响。进一步研究了N2气氛中,不同热处理温度以及热处理时间对SiN薄膜体氢钝化作用的影响。文中可以得出结论:虽然PECVD SiN薄膜在RTP工艺后少子有效寿命有大幅提高,但氢
【机 构】
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江苏林洋新能源有限公司,南通 226200 新南威尔士大学,悉尼 2052
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采用u-PCD测试晶体硅材料的少子寿命,研究了在磷扩散的P型多晶硅片上PECVD双面淀积氢化非晶氮化硅薄膜(a-SiNx∶H,简写为SiN),快速热处理工艺(RTP)以及在N2气氛中低温热处理SiN薄膜对多晶硅材料少子寿命的影响。进一步研究了N2气氛中,不同热处理温度以及热处理时间对SiN薄膜体氢钝化作用的影响。文中可以得出结论:虽然PECVD SiN薄膜在RTP工艺后少子有效寿命有大幅提高,但氢体钝化作用并没有达到最优,后续的低温短时间热处理可以在一定程度上提高SiN薄膜对晶体硅体氢钝化作用。
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