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针对P型掺硼硅单晶电池的光致衰减问题，分析了光致衰减产生的原因及消除机理，提出了几种解决方案；分析了几种方案的可行性，选择了最经济、最方便的方案——用镓元素取代硼作为P型太阳能硅单晶的掺杂剂的拉晶方法，通过实验研制出4支掺镓硅单晶，掺镓硅单晶生长工艺：Cz法，导电类型：P型，晶向：<100>，晶偏：<1°，电阻率：0.3～6 Ω·cm，断面不均匀率：Δρ不≤15[％]，直径：153～156 mm，少子寿命≥10 μs。硅晶片：125×125 mm，厚度（200±20）μm。经用户试用，掺镓硅单晶的光致衰减.1[％]，验证了掺镓硅单晶是一种高转换率、无衰减的硅单晶。