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在阳极氧化铝模板中通过电沉积法制备了Cu2O纳米线,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM) 对Cu2O纳米线的组成和形貌进行了表征,并测试了Cu2O/AAO阵列体系的光电压、交流阻抗性能.结果表明,制备的Cu2O纳米线平均直径约 120nm,长度约 2 μm;阵列体系在紫外灯照射下,光电压达25mV,交流阴抗大大降低.