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该文用高频Ｃ－Ｖ测试和原子光谱分析研究了新型电子清洗工艺对硅片的清洗效果。用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０〈’１０〉ＣＭ〈’－２〉数量级；去重金属离子能力与常规ＣＭＯＳ／ＳＯＳ栅氧化工艺相当。使用该清洗工艺生产器件的耐压和少子寿命与常规化学酸清洗相当。
新型电子清洗工艺对硅片表面的清洗效果
【摘 要】
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该文用高频Ｃ－Ｖ测试和原子光谱分析研究了新型电子清洗工艺对硅片的清洗效果。用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０〈’１０〉ＣＭ〈’－２〉数量级；去重金属离子能力与常规
【机 构】
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大学光电材料与器件研究所
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议
【发表日期】
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1997年期
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