【摘 要】
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本文研究了用高压低温法制备的硅材料的性能.对制备的条件进行了实验研究,在不同的温度条件下制备了硅材料,获得了最佳的制备条件.用XRD分析了材料的物相结构;阿基米德法测量了制备材料的密度;对材料的电阻率也进行了测量.结果表明:用高压方法制备的硅材料具有较好的机械强度及较高的材料密度;可以用作硅薄膜的衬底材料;600℃温度下烧结可以获得无氧化的硅材料.
【机 构】
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四川大学物理系,辐射物理及技术国家教育部重点实验室(中国成都) 云南师范大学太阳能研究所(中国昆明
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本文研究了用高压低温法制备的硅材料的性能.对制备的条件进行了实验研究,在不同的温度条件下制备了硅材料,获得了最佳的制备条件.用XRD分析了材料的物相结构;阿基米德法测量了制备材料的密度;对材料的电阻率也进行了测量.结果表明:用高压方法制备的硅材料具有较好的机械强度及较高的材料密度;可以用作硅薄膜的衬底材料;600℃温度下烧结可以获得无氧化的硅材料.
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