N 型背结前接触太阳能电池Al-p+发射结钝化研究

来源 :第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) | 被引量 : 0次 | 上传用户:wgguihuake
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
通过在n 型单晶硅衬底上丝网印刷铝,随后高温推进形成Al-p+发射结,形成n+np+结构的N 型背结前接触太阳能电池.采用两种模式对Al-p+发射结进行钝化.(a)等离子体增强化学气相沉积SiNx 钝化.(b) 等离子体增强化学气相沉积SiO2 和SiNx 的叠成钝化;通过对比,可以发现SiO2和SiNx的叠层钝化将电池的开路电压提高了20mV.另外,实验了一种局部Al-p+发射结的电池结构,相比于全Al-p+发射结电池的开路电压提升了8mV.
其他文献
目前用铸造多晶硅生产的晶体硅太阳电池的平均转换效率大多在16.5%左右,用其生产的组件效率则为14.8%左右.我们经过从硅料制造、太阳电池制制造、组件制造等多个方面共同努力,使类单晶铸造晶体硅太阳电池组件的效率达到16%以上.