【摘 要】
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本研究以钛酸四丁酯为MO源,采用热壁低压金属有机物化学气相法(LP-MOCVD)分别在400～700℃以Si(111)、SiO/Si和载玻片为衬底,沉积了TiO薄膜,并应用原子力显微镜(AFM),XRD和XPS等分析测试手段分别研究了沉积温度、沉积时间、衬底及氧气条件等工艺因素对薄膜的形貌、相结构和表面化学组成的影响.实验结果表明,所制备的薄膜为锐钛矿型TiO,薄膜表面平滑、均匀、致密;厚度为80
【机 构】
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西安交通大学电子材料研究所,电子陶瓷与器件教育部重点实验室(陕西西安)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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本研究以钛酸四丁酯为MO源,采用热壁低压金属有机物化学气相法(LP-MOCVD)分别在400～700℃以Si(111)、SiO<,2>/Si和载玻片为衬底,沉积了TiO<,2>薄膜,并应用原子力显微镜(AFM),XRD和XPS等分析测试手段分别研究了沉积温度、沉积时间、衬底及氧气条件等工艺因素对薄膜的形貌、相结构和表面化学组成的影响.实验结果表明,所制备的薄膜为锐钛矿型TiO<,2>,薄膜表面平滑、均匀、致密;厚度为80～340nm,并随着沉积时间的延长而增加,而随沉积温度升高而减小;在贫氧条件下不利于薄膜生长.
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软磁薄膜材料与器件是近期国际国内电子器件实现“小.轻.薄.精”的热点.本文报道了高性能软磁薄膜的溅射工艺,纳米晶化和性能改进的途径.基于已研制的Fe基、Co基纳米晶软磁薄膜,成功制备出薄膜变压器和电感器,使绕组、磁芯、绝缘膜层全薄膜化.薄膜变压器的初级电感在0.5～0.6μH之间,次级电感0.3～0.4μH之间,工作频率f<20MHz.
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采用2.45GHz多模腔微波炉在低于常规烧结温度160℃的温度下成功制备了(BaSr)TiO致密陶瓷,并对样品进行了XRD、R-T、SEM及复阻抗测试分析.试样基本配方为BaSrTiO+2℅TiO+2℅SiO+0.3℅Y(NO)+0.2℅Al(NO)(摩尔比).经配料、球磨、预烧、二次混磨、成型过程后,对同批次样品采用微波烧结及常规烧结对比实验.微波烧结为1190℃恒温10min,升温速率为15℃
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