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本文通过两步法合成了ɑ-Fe2O3薄膜,ɑ-Fe203是n型间接带隙半导体,首先是通过简单的化学腐蚀法在铁箔基底上制备出了β-FeOOH薄膜,再将制备的β-FeOOH薄膜在N2中退火,即可得到ɑ-Fe2O3薄膜.通过SEM表征分析得到了纳米棒、纳米线,纳米片、菜花状纳米形态结构.所制备的样品经过Co2+的修饰后,由于表面态钝化和空穴注入效率的提高,其光电流明显增大.