CFD方法研究动力学因素对石墨烯CVD生长的影响

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实验上低碳溶解度金属Cu表面CVD生长石墨烯的过程中,当反应室中压强为大气压和很低压强(625mTorr)时,制备出大块石墨烯样品的平整性不一样。我们用CFD方法来讨论动力学因素的影响。利用Fluent软件求解动量守恒方程、能量守恒方程和反应气体组分参与壁面反应的输运方程,计算石墨烯沉积速率随温度的变化。整个计算过程只考虑了表面反应和组分输运过程。计算得出石墨烯沉积速率随着温度的升高,常压情况相较于低压强情况变化很小。因此推断石墨烯生长过程,在低压下受限于反应物表面反应;大气压下受限于反应物组分输运过程。计算结果表明,保持反应面温度均匀,低压下情况下长出的大块石墨烯样品较平整。
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