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SOI技术已经成功的应用到功率集成电路中，而击穿电压是功率器件一个重要的参数。本文对 SOI 横向功率器件的击穿电压进行了分析，介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压的结构，较为详细的分析了 RESURF 原理的应用。
SOI横向功率器件耐压结构的研究
【摘 要】
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SOI技术已经成功的应用到功率集成电路中，而击穿电压是功率器件一个重要的参数。本文对 SOI 横向功率器件的击穿电压进行了分析，介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压的结构
【机 构】
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安徽大学电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039
【出 处】
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第五届全国光子学大会
【发表日期】
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2004年期
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