【摘 要】
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针对水平热壁式反应室,采用数值模拟的方法分析了SiC生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布、反应气体浓度分布以及生长率沿基座的分布情况.仿真分析了初始碳硅比变化对
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,西安710071宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071
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针对水平热壁式反应室,采用数值模拟的方法分析了SiC生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布、反应气体浓度分布以及生长率沿基座的分布情况.仿真分析了初始碳硅比变化对薄膜生长速率的影响.模拟结果表明,C2H4,C2H2,CH3SiH2SiH,Si和SiH2的浓度对SiC的生长起决定性作用;固定硅烷流量为20 sccm的定值时,生长过程为碳控制的质量输运生长,当碳硅比达到2.5左右时生长率接近饱和.
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