【摘 要】
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本文采用Ni-Cr-Fe高温合金成功地对反应合成SiC陶瓷进行扩散法联接,联接温度在900至1080℃.实验观察了界面反应层的显微组织,反应层中的物相采用电子能谱(EDX)分析、波谱(WDS
【机 构】
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深圳大学材料科学与工程系广西大学材料科学研究所
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本文采用Ni-Cr-Fe高温合金成功地对反应合成SiC陶瓷进行扩散法联接,联接温度在900至1080℃.实验观察了界面反应层的显微组织,反应层中的物相采用电子能谱(EDX)分析、波谱(WDS)分析和相应合金的X射线衍射分析确定,采用剪切试验测定联接的剪切强度.实验表明:联接试样中反应层的相组成、显微组织以及微观缺陷依赖于联接温度,从而影响其联接强度.较低联接温度时(1000℃以下),形成较复杂的反应层,Cr-基和Ni-基硅化物以及形成不同程度的微观缺陷,所以联接的剪切强度较低,当联接温度增加到1080℃时,中间只存在一层CrSi<,2>薄层,未发现微观缺陷存在,显示较高的剪切强度.达到126MPa.
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