【摘 要】
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最近马於光教授等提出T-S反隙间窜跃的“热激子”原理,得到了接近100％激子利用率的荧光材料[1]。此类材料主要由适当电子给受体强度的基团通过一定的扭转角连接而成,分子
【机 构】
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华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,广东省广州市,510640
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最近马於光教授等提出T-S反隙间窜跃的“热激子”原理,得到了接近100％激子利用率的荧光材料[1]。此类材料主要由适当电子给受体强度的基团通过一定的扭转角连接而成,分子内形成的局域电荷转移杂化态(HLCT)同时利用了CT态易发生的反系间窜越和LE态的高辐射跃迁,实现高激子利用率和高效率的发光[2]。基于上述机理,我们设计合成了2,1,3-吡啶并噻二唑的两端含三苯胺的D-A-D型分子(TPA-PT-TPA),并对其进行了详细的光物理分析,结果表明TPA-PT-TPA在低极性溶剂中展示了LE和CT态杂化的光物理特性,而在强极性溶剂中主要为CT态发光,并显示了聚集诱导发光的特性。其在薄膜中的荧光量子产率(PLQY)达到了39％。
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