【摘 要】
:
AlN具有优异介电性、压电性,是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了AlN薄膜材料的特性、薄膜制备、器件应用与最新进展。
【机 构】
:
华南师范大学光电子材料与技术研究所 广东广州 51063
论文部分内容阅读
AlN具有优异介电性、压电性,是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了AlN薄膜材料的特性、薄膜制备、器件应用与最新进展。
其他文献
发光晶体管是一种新型的半导体发光器件。本文阐明了三种发光晶体管器件的发光原理,对该类器件在材料、结构、性能等方面的研究进展作了总结,对其潜在应用进行了介绍,展望了
自己平常特懒,桌面壁纸基本没怎么换过,因此常常遭到GF埋怨.坏毛病得改改了,就让Desktoptopia这款智能的桌面壁纸工具来助我们一臂之力(下载地址:http://download.pchomenet/
利用金属有机气相沉积(MOCVD)方法,在自支撑GaN衬底上生长获得了阱宽为3.19纳米和2.7纳米的高质量InGaN多量子阱结构。高分辨X射线衍射和透射电子显微镜测量表明,该量子结构
由于学习的需要,前两天终于组装了一台台式机,但是资金有限,所以配置不咋样.这不,刚装好Windows7,就被宿舍的几个兄弟查看系统评分.结果那个惨啊(他们全都6.X呢),小弟实在无
本文介绍MOCVD技术在紫外探测器领域的应用。综述MOCVD技术对阳盲紫外探测器材料生长工艺的改进,着重介绍三族氮化物三元、四元系合金材料的制备发展过程以及取得的成果。
利用MOCVD研究了无裂纹Si基AlGaN/GaN HEMT结构的外延生长工艺。在Si(111)衬底上生长高温AlN缓冲层,然后直接生长GaN沟道层,AlN插入层和AlGaN层。探讨了AlGaN和AlN插入层的生
逍遥网店整站ASP系统被不少B2C网上商城所使用,但听说该系统的作者开发时在自己的源码中留有后门.如果我们能巧借此预置的后门,入侵基于逍遥网店的在线商城,企不是一个相当便
很多网友都想拥有一个个性化的头像,也试着通过一些图形软件加工过.但制作起来比较麻烦,而且效果不佳.现在你不必再为此而苦恼了,QQ2010给大家提供了头像DIY的功能,让你轻松
对于习惯于使用五笔输入法的朋友来说,很多时候,仍然不可避免的需要临时切换到拼音输入法.其实,如果你使用的是QQ五笔,那么可以通过相应的快捷键解决这一困难:如果需要临时使
本文介绍了半导体自旋电子器件材料、自旋注入方法以及器件的研究进展。对于半导体自旋电子器件的研究不但有着重要的理论意义,而且在信息科学领域中有着十分广阔的应用前景