【摘 要】
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测量了50 余只980nm InGaAsP/InGaAs/GaAlAs 双量子阱半导体激光器的低频噪声。结果发现，在小注入条件下，有的器件表现出很明显的g-r 噪声，但随着注入电流的增大，g-r 噪声又消失。本文根据耗尽区内g-r 噪声的形成机理，很好地解释了这一新的物理现象。
【机 构】
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吉林大学通信工程学院光通信系,长春,130012 吉林大学电子科学与工程学院,长春,130023
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测量了50 余只980nm InGaAsP/InGaAs/GaAlAs 双量子阱半导体激光器的低频噪声。结果发现，在小注入条件下，有的器件表现出很明显的g-r 噪声，但随着注入电流的增大，g-r 噪声又消失。本文根据耗尽区内g-r 噪声的形成机理，很好地解释了这一新的物理现象。
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