【摘 要】
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CdSe单晶体是一种新型性能优异的室温核辐射探测器半导体材料，实验在双温区炉中采用垂直无籽晶气相提拉法生长出尺寸为015mm×40mm，电阻率在109Ω.cm量级的CdSe单晶。对生长出晶锭的解理晶片通过XRD、IR和UV测试，结果显示：解理面为(100)低指数面，硒化镉晶体完整性好，红外透过率＞62％，UV曲线无杂质能级，表明用改进的提纯工艺和双温区炉中提拉生长出的硒化镉单晶，能有效控制成分偏析
【机 构】
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中国工程物理研究院,四川 绵阳 621900 四川大学材料系 四川 成都 6100641 四川大学
【出 处】
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中国核学会核材料分会2007年度学术交流会
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CdSe单晶体是一种新型性能优异的室温核辐射探测器半导体材料，实验在双温区炉中采用垂直无籽晶气相提拉法生长出尺寸为015mm×40mm，电阻率在109Ω.cm量级的CdSe单晶。对生长出晶锭的解理晶片通过XRD、IR和UV测试，结果显示：解理面为(100)低指数面，硒化镉晶体完整性好，红外透过率＞62％，UV曲线无杂质能级，表明用改进的提纯工艺和双温区炉中提拉生长出的硒化镉单晶，能有效控制成分偏析和杂质缺陷且生长出的晶体具有较高的品质。
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