【摘 要】
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本文采用ASA(advanced semiconductor analysis)软件,对单结PIN型微晶硅锗电池进行光电模拟研究,分析了P/I、N/I处缺陷分布以及本征层载流子迁移率这三个因素,对量子效率谱(Q
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071
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本文采用ASA(advanced semiconductor analysis)软件,对单结PIN型微晶硅锗电池进行光电模拟研究,分析了P/I、N/I处缺陷分布以及本征层载流子迁移率这三个因素,对量子效率谱(QE)的影响,并结合反偏压量子效率谱进行了实验方面的验证.通过对这三个因素的实验优化,在锗含量约为35％的情况下获得了效率为4.63％的单结电池.
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