【摘 要】
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本文采用二维PIC粒子模拟方法对霍尔推力器内部的物理过程进行模拟,蒙特卡洛方法(MCC)被用于模拟粒子间的碰撞。模型中自洽地考虑了等离子体形成的鞘层,通过减小离子质量以及增加真空介电常数的方法来提高计算速度。通过计算,我们得到了霍尔推力器通道内部等离子体参数的分布。模拟结果和实验结果一致。结果同时表明,在霍尔推力器通道内不同位置,鞘层具有不同的结构。在出口区,存在空间电荷饱和鞘层现象。
【机 构】
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哈尔滨工业大学等离子体推进技术实验室,哈尔滨,150001
【出 处】
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中国工程热物理学会2008年热机气动热力学与流体机械学术会议
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本文采用二维PIC粒子模拟方法对霍尔推力器内部的物理过程进行模拟,蒙特卡洛方法(MCC)被用于模拟粒子间的碰撞。模型中自洽地考虑了等离子体形成的鞘层,通过减小离子质量以及增加真空介电常数的方法来提高计算速度。通过计算,我们得到了霍尔推力器通道内部等离子体参数的分布。模拟结果和实验结果一致。结果同时表明,在霍尔推力器通道内不同位置,鞘层具有不同的结构。在出口区,存在空间电荷饱和鞘层现象。
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