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N-type crystallisation
【机 构】
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SINTEF
【出 处】
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第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
【发表日期】
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2012年5期
其他文献
本文利用反应等离子体沉积技术(RPD)在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.用原子力电镜(AFM),霍尔测试系统,四探针,UV-Vis-NIR 分光光度计和椭偏仪(SE)对薄膜进行表征,研究了工作气压和退火处理对薄膜表面形貌和光电特性的影响.研究结果发现,工作气压决定薄膜生长速率,气压越高,生长速率越慢.而且低气压条件下制备的ITO 薄膜导电性优于高压条件下制备的薄膜.所得ITO
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会议
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多晶硅片因为其低成本一直占据光伏市场的最大份额.但多晶硅片制成的多晶电池其效率一直低于CZ 单晶电池.实验室做出的最好的电池，多晶比单晶差约4.％.在大规模工业化生产中，除了制绒工艺有差别外，用同样的电池生产工艺，多晶电池比单晶差约1.5-1.7％.这种差别主要来源于表面制绒差异，多晶的晶体缺陷，如位错，晶界等等.多晶晶体的质量能否进一步提高？如何提高？答案是肯定的.通过深入的多晶缺陷研究发现，多
会议
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