论文部分内容阅读
Tb具有5D4→7F5的特征能级跃迁，能在许多基质中于540 nm附近产生特征绿光发射，但Tb的猝灭浓度较高且价格昂贵，廉价的Ce作为Tb的敏化剂，可大幅度地提高Tb的发射。
Tb3+/Ce3+共掺杂Lu2SiO5薄膜制备与性能研究
【摘 要】
：
Tb具有5D4→7F5的特征能级跃迁，能在许多基质中于540 nm附近产生特征绿光发射，但Tb的猝灭浓度较高且价格昂贵，廉价的Ce作为Tb的敏化剂，可大幅度地提高Tb的发射。
【机 构】
：
上海大学 材料科学与工程学院 电子信息材料系
【出 处】
：
第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
：
2016年5期
其他文献
钛酸铝具有熔点高、热膨胀系数低(α＜1.5×10-6℃-1)、抗热震性好、耐火度高、隔热性能好、耐腐蚀、抗渣及对玻璃和多种金属熔体不浸润等特点，若将其制备成薄膜，便能有效提高碳化硅、氮化硅等基体材料的高温抗氧化和抗腐蚀性能.
低压便携式电子器件越来越备受欢迎，壳聚糖是一种线性聚葡萄糖胺(1-4)-2-氨基-B-D葡萄糖，是由自然界广泛存在的几丁质(chitin)经过脱乙酰作用得到的，并且广泛地应用在生物传感器和质子交换膜。
Structure and properties of doped ZnO films prepared by thermal oxidization under a high magnetic fi
The effect of a high magnetic field applied during oxidation on the structure,optical transmittance,resistivity,and magnetism of Co-doped ZnO thin films prepared by oxidizing evaporated Zn/Co bilayer
CdZnTe是一种光电性能优异的化合物半导体材料，它具有禁带宽度较大、良好的载流子传输特性、工作漏电流和噪声较低等诸多优秀特性.CdZnTe薄膜因其可替代CdZnTe单晶来制备室温紫外、X射线探测器，而受到越来越多的关注.
宽禁带半导体材料CdZnTe(CZT)因其高的平均原子序数、高电阻率、良好的载流子传输性能、以及室温下性能优良等优点，已经广泛运用于核医学成像、天体物理、安全检查等研究领域，是目前最有前途的室温x射线、γ射线探测器材料之一。
β-Ga2O3为直接带隙半导体材料,禁带宽度为4.9eV,击穿电场强度为8MV/cm,是Si的20多倍,SiC和GaN的2倍以上.可以用于高耐压功率器件、紫外探测器以及GaN衬底材料等领域.
Ⅱ-Ⅵ族CdS单晶材料是一类重要的宽禁带半导体材料,具有直接跃迁带隙,室温下带隙宽度约为2.42eV,并且具有优异的光电特性和红外透射性,集光伏效应、窗口效应、声电效应和光电导效应等多种特性于一身,在光、电、磁、光催化等方面都具有较大的应用潜能和重要的战略地位.
There is a great potential in cost reduction for light emitting devices by epitaxially integrating Ⅲ-Nitride semiconductors on large diameter silicon.
碲锌镉(CdZnTe)晶体是宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物，具有优异的光电特性，是制备室温X射线及γ 射线探测器的一种理想半导体材料.CdZnTe欧姆接触特性对探测器性能有重要的影响，一直是人们研究的热点和难点.