【摘 要】
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通过一维Poisson-Schrǒdinger方程自洽求解,得出AlGaN/GaN/AlGaN双异质结导带结构和二维电子气的分布。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构大大提高了GaN沟道层
【机 构】
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State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronic
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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通过一维Poisson-Schrǒdinger方程自洽求解,得出AlGaN/GaN/AlGaN双异质结导带结构和二维电子气的分布。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构大大提高了GaN沟道层下方的势垒高度,使得二维电子气的限域性显著提高。为了提高材料的结晶质量和电学特性,文中采用AlGaN和GaN相结合作为缓冲层,即先生长700nm GaN缓冲层再生长600rim Al0.07Ga0.93N缓冲层。高分辨率X射线衍射仪和原子力显微镜测试结果表明,材料的结晶质量和表面形貌均得到了显著的提高。同时,通过室温霍尔和方阻测试得出,双异质结材料的二维电子气迁移率达到1821cm2/Vs,方块电阻平均值338.5Ω/□,方阻均一性0.85％。最后,利用变温霍尔测试,对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料的二维电子气密度和迁移率随温度变化进行了研究。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结具有更好的高温特性。
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