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本研究工作采用MOCVD系统在低温的条件下生长ZnO薄膜,通过控制n型掺杂剂气体B2H6流速制备不同ZnO∶B薄膜,利用Hall效应、紫外可见透射谱等手段对薄膜的光电性能进行表征和分析。通过实验条件的优化获得高电导率和高光透过率的优质透明导电薄膜。本工作中的优化实验条件下制备的薄膜电阻率约为1.5×10-3Ω.cm,可见光区域平均透射率接近90％。