【摘 要】
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GaAs MMIC由GaAs衬底上多种材料结合构成.由于器件结构,工艺过程和材料特性等原因.在器件结构中存在一定的材料应力,应力对器件的性能、可靠性以及制造工艺成品率均有不同程度的影响.通过对GaAs MMIC钝化介质膜氮化硅的研究,分析应力的产生、组成以及影响因素,通过研究提出控制和优化器件钝化层的方法,促使器件的性能和可靠性得到改善和提高.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十五所,南京,210016 信息产业部电子第五研究所,广州,510610
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GaAs MMIC由GaAs衬底上多种材料结合构成.由于器件结构,工艺过程和材料特性等原因.在器件结构中存在一定的材料应力,应力对器件的性能、可靠性以及制造工艺成品率均有不同程度的影响.通过对GaAs MMIC钝化介质膜氮化硅的研究,分析应力的产生、组成以及影响因素,通过研究提出控制和优化器件钝化层的方法,促使器件的性能和可靠性得到改善和提高.
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