【摘 要】
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利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统，在蓝宝石衬底上外廷生长以InGaN傲垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特性。结果表明，材料界面的质量变化不大，但利用InGaN做垒光致发光的峰值强麦增强、峰位蓝移，样品中V坑的数目及相应的位错减少。对两种结构的LED进行电学测量得知。InGaN垒样品的droop现象得到极大的改善，这表明阱垒之间
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心，北京海淀区清华东路甲35号，100083
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利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统，在蓝宝石衬底上外廷生长以InGaN傲垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特性。结果表明，材料界面的质量变化不大，但利用InGaN做垒光致发光的峰值强麦增强、峰位蓝移，样品中V坑的数目及相应的位错减少。对两种结构的LED进行电学测量得知。InGaN垒样品的droop现象得到极大的改善，这表明阱垒之间的应力失配减小，降低了由此产生的压电电场，弱化了电子的过冲，提高了量子效率。
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