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全内反射成像椭偏技术利用倐逝波作为表面探针,具有高灵敏度,非接触,对样品破坏程度低等特点,可以用于检测基底表面附近发生的多种物理、化学、生物过程[1].而在电化学体系中,人们通常关心的是影响电荷在化学相界面之间迁移的过程和因素,这使得全内反射椭偏成像技术在电化学领域具有潜在的应用价值.
全内反射成像椭偏技术在电化学领域测溶氧的应用
【摘 要】
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全内反射成像椭偏技术利用倐逝波作为表面探针,具有高灵敏度,非接触,对样品破坏程度低等特点,可以用于检测基底表面附近发生的多种物理、化学、生物过程[1].而在电化学体系中
【机 构】
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中国科学院力学研究所国家微重力实验室,北京,100190
【出 处】
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第一届全国椭圆偏振光谱学研讨会
【发表日期】
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2014年11期
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