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该文利用лｅｏＨＴｏＢиЧ建立阻抗边界条件的思想，采用局部平面波近似法，导出了运动薄导体壳上电磁场的平均边界条件，给出了平均边界条件的一般矢量表达式，并确定了其有效应用范围。导出结果表明，ＥｐｏφｅｅＨκｏ得到的静止薄壳体上电磁声的平均边界条件只是该文所得平均边界条件的一个特例。
运动薄壳体上电磁场平均边界条件的推导
【摘 要】
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该文利用лｅｏＨＴｏＢиЧ建立阻抗边界条件的思想，采用局部平面波近似法，导出了运动薄导体壳上电磁场的平均边界条件，给出了平均边界条件的一般矢量表达式，并确定了其有效应用范围。导出结
【机 构】
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清华大学电机工程应用电子技术系
【出 处】
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第七届全国电工数学学术年会
【发表日期】
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1999年8期
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