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Mid-Infrared Photoluminescence of InAsNSb/InAs Multi Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy

来源 :第十届中红外光电子材料与器件国际会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhuyudream

【作 者】

：

M.de la Mare Q.Zhuang P.Carrington R.Wheatley A.Krier 

【机 构】

：

Department of Physics,Lancaster University,Lancaster,LA1 4YB,UK

【出 处】

：

第十届中红外光电子材料与器件国际会议

【发表日期】

：

2010年4期

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