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本文采用纳米尺度的悬臂梁实验和毫米尺度的四点弯曲实验分别研究了包含20nm 和200 nm 厚铜薄膜的多层薄膜材料(Si/Cu/SiN)中沿Cu/Si 界面的裂纹启裂和扩展行为。为了研究内聚力准则对由纳米尺度应力集中导致的界面分层破坏问题的适用性，我们采用指数形式的内聚力模型对实验观测的界面分层破坏过程进行了有限元模拟。在通过与某一组实验结果进行对比确定Cu/Si 界面的内聚力参数之后，我们利用获得的内聚力参数成功预测了其他实验中的界面裂纹启裂和扩展的行为。这表明内聚力准则能够独立于试样尺寸、薄膜厚度及由其控制的塑性性质和残余应力等因素的影响准确预测不同实验中的界面分层破坏行为。另外，本研究也证明了内聚力准则对具有不同应力奇异性界面的分层行为的适用性。