【摘 要】
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利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100V时器件的反向漏电流低于30nA；计算得出器件的比导通电阻为9mΩ·cm2；外加正向偏压2V时器件的正向电流密度达到100A/cm2。器件具有良好的击穿特性以及低的通态损耗,可在电力电子领域进行应用。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083 Key Lab of Semicon
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100V时器件的反向漏电流低于30nA；计算得出器件的比导通电阻为9mΩ·cm2；外加正向偏压2V时器件的正向电流密度达到100A/cm2。器件具有良好的击穿特性以及低的通态损耗,可在电力电子领域进行应用。
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