暴露高能{111}晶面Cu2Se纳米线的可控合成、生长机理及其增强的光催化性能

来源 :中国化学会第29届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zwj54255
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  Cu2Se 是重要的 P 型半导体,其禁带宽度在 1.1~2.3 eV,由于其独特的光学和电学性质,在光学过滤器、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等领域具有潜在的应用价值[1].目前关于 Cu2Se 的形貌报道很少,其性能主要集中在 Cu2Se 纳米薄膜的光电性能的研究上[2],然而有关大纵横比 Cu2Se 纳米线的制备及降解有机物的光催化性能至今未见报道.本文在溶剂热体系中,200oC 下反应 12 h 制备出了暴露高能{111}晶面立方相构的 Cu2Se 单晶纳米线,发现降解 MG 溶液的光催化性能随着 Cu2Se 纳米线纵横比的增大而增强.
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