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本文首先对集成电路中的单粒子翻转(SEU)的失效物理机理做分析,在此基础上对存储器和组合电路等主要,同时也是SEU现象较多的的集成电路分析器单粒子翻转机理,从而考虑在工艺、电路、系统等层做相应的抗辐射加固处理,使之能在外太空的高能粒子轰击下不发生单粒子翻转事件。
SEU失效机理及其加固技术
【摘 要】
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本文首先对集成电路中的单粒子翻转(SEU)的失效物理机理做分析,在此基础上对存储器和组合电路等主要,同时也是SEU现象较多的的集成电路分析器单粒子翻转机理,从而考虑在工艺
【机 构】
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国防科技大学计算机学院长沙410073
【出 处】
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第十届计算机工程与工艺全国学术年会
【发表日期】
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2006年8期
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