【摘 要】
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我们采用脉冲电沉积技术，依托氧化铝模板，制备了具有择优取向的单晶锑纳米线。通过X射线衍射分析和透射电镜观察，我们研究了单晶锑纳米线的生长行为。研究发现，锑纳米线的初始生长是一个三维成核过程，在这个过程中，形成了多晶体。然后通过渐近成核机制逐渐演化成二维生长，在这个过程中，形成了单晶体。我们提出了这种转变的机制，这些结果对深入理解纳米线的生长机制以及更加精细的调控纳米线的取向生长具有积极的作用。
【机 构】
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中科院固体物理研究所,材料物理重点实验室,合肥230031 合肥工业大学,合肥230009
【出 处】
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2007两岸三地博士生NBIC学术论坛
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我们采用脉冲电沉积技术，依托氧化铝模板，制备了具有择优取向的单晶锑纳米线。通过X射线衍射分析和透射电镜观察，我们研究了单晶锑纳米线的生长行为。研究发现，锑纳米线的初始生长是一个三维成核过程，在这个过程中，形成了多晶体。然后通过渐近成核机制逐渐演化成二维生长，在这个过程中，形成了单晶体。我们提出了这种转变的机制，这些结果对深入理解纳米线的生长机制以及更加精细的调控纳米线的取向生长具有积极的作用。
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