一种发光二极管芯片的寿命试验方法的确立

来源 :第十三届全国LED产业发展与技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tongchenggouwu
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  现有寿命试验受封装因素影响较大,为了避免封装因素对芯片寿命试验产生的误判,也为了与国际大厂可靠性实验验证接轨,使其更能体现出外延及芯片的优劣,本文介绍了LED芯片(板载芯片集成封装形式)寿命试验过程,提出了抽样方式、寿命试验条件,讨论了板载芯片集成(Chip-On-Board,缩写为 COB)封装形式和单灯(Lamp)封装形式芯片老化96小时光衰、正向电压(VF)和反向电流(漏电流IR)的变化。经过九丰老化烤箱96小时老化和唯明LED800测试,分析数据得出:COB封装形式的芯片光衰和正向电压较单灯形式平稳,但反向电流较传统单灯形式筛选能力强。
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LED灯由于高效节能、工作稳定、寿命长、无污染,在城市景观、道路交通、家居照明、汽车、屏幕显示等领域得到了广泛的应用,市场前景非常广阔.LED灯中约有80%的能量被转化热能,因而随着LED的功率以及集成度的升高,LED的发热热流密度迅猛增加,其散热问题变得越来越严重.过高的LED结温不但使LED的光通量及寿命急剧衰减和变短,还会对LED的峰值波长、光功率等诸多性能参数造成严重甚至致命的影响.因此,
SMD5050 LED是一种贴片式封装的LED,其中有三个芯片。本文采用了两种测量方法,对SMD5050LED的结温进行了测量,给出了一种精确测量SMD5050 LED结温的测试方法,该方法是在模拟SMD5050 LED正常工作时的状态下进行,并通过对比试验,验证了测量结果的准确性,本方法同样适用于其他多芯片LED器件结温的测量。
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LED芯片缺陷会对芯片可靠性产生影响,芯片可靠性决定LED器件的质量.本文主要研究LED芯片制作过程中的外观缺陷对LED可靠性的影响,选取了具有外观缺陷(如反射镜不完整、电极外展线缺陷、芯片划裂伤)的芯片,封装成LED管子,在常温下用500mA 点亮 500h.通过实验数据,分析了芯片的各类外观缺陷对LED可靠性的影响程度,发现背镜不完整芯片制作的LED管子,老化后光强衰减速度较快,500h后平均
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