信息存储合金GeSbTe快速存储机理及太阳能电池材料CuZnSnS缺陷物理的第一性原理研究

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liwanli14

【摘要】

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相变存储(Phase-Change Memory, PCM)材料GeSbTe (GST)因其亚稳晶相与非晶相之间存在显著光/电特性差异并且在外场(激光、电脉冲)激励下能实现高速可逆相变,所以在光存储和下一代非挥发电子存储中展现出广阔应用前景.

【作者】

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李贤斌韩冬刘显强韩晓东张绳百孙洪波

【机构】

：

集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012 集

【出处】

：

第十九届全国半导体物理学术会议

【发表日期】

：

2013年2期

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