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会议论文
低电压SRAM位线漏电流补偿电路设计
低电压SRAM位线漏电流补偿电路设计
来源 :中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:c224224224
【摘 要】
:
在SOC系统级芯片中,静态内存占有很重要的地位,嵌入式和低压应用成为SRAM设计目前的主流方向.本文提出了一种低电压SRAM位线漏电流补偿电路设计方案,以提升SRAM的规模和速度
【作 者】
:
季科夫
吴金
魏同立
【机 构】
:
东南大学微电子中心,210096
【出 处】
:
中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会
【发表日期】
:
2002年期
【关键词】
:
低电压
电流补偿
系统级芯片
位线漏电流
主流方向
速度性能
设计方案
静态内存
低压应用
补偿电路
嵌入式
提升
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在SOC系统级芯片中,静态内存占有很重要的地位,嵌入式和低压应用成为SRAM设计目前的主流方向.本文提出了一种低电压SRAM位线漏电流补偿电路设计方案,以提升SRAM的规模和速度性能.
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