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利用扫描电镜(SEM)观察了蓝宝石衬底和外延GaN层的位错缺陷,探索了衬底中位错和外延层位错形成的关系.并使用原子力显微镜(AFM)技术观察了蓝宝石衬底与GaN外延层界面的形貌.
GaN/Al<,2>O<,3>中缺陷和外延层界面的SEM和原子力显微镜观察
【摘 要】
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利用扫描电镜(SEM)观察了蓝宝石衬底和外延GaN层的位错缺陷,探索了衬底中位错和外延层位错形成的关系.并使用原子力显微镜(AFM)技术观察了蓝宝石衬底与GaN外延层界面的形貌.
【机 构】
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河北工业大学半导体材料研究所(天津)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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2003年期
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