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在铁基超导体中,FeSe虽然具有最简单的化学成分,但其单晶和薄膜样品均存在化学计量比的差异、结构无序或团簇状等问题,严重影响着FeSe的超导性质.借鉴在石墨烯衬底上成功制备FeSe薄膜的生长经验,我们利用分子束外延生长(MBE)技术,在单一TiO2终止面的SrTiO3衬底上,成功制备出了高质量的单晶FeSe超导薄膜.原位的低温扫描隧道谱以及高分辨变温角分辨光电子能谱结果显示,在单层FeSe薄膜中存在转变温度高于液氮温度(77K)的高温超导特性[1,2].