【摘 要】
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氮化硅(SiN)薄膜做为一种与现代半导体加工工艺相兼容的硅基宽禁带材料,在芯片上可集成光电器件中得到越来越广泛的关注[1]。尤其近年来,低维纳米体系下SiN出人意料的强二次谐波产生(SHG)及巨大三阶非线性效应的发现,使其在芯片上的非线性光学器件中具有潜在应用[2,3]。我们利用等离子增强的化学气相沉积法在熔石英基底上300℃条件下生长了富硅SiN薄膜,并详细研究了其二次谐波产生性质。我们利用1/
【机 构】
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山东师范大学物理与电子科学学院,济南 250014
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氮化硅(SiN)薄膜做为一种与现代半导体加工工艺相兼容的硅基宽禁带材料,在芯片上可集成光电器件中得到越来越广泛的关注[1]。尤其近年来,低维纳米体系下SiN出人意料的强二次谐波产生(SHG)及巨大三阶非线性效应的发现,使其在芯片上的非线性光学器件中具有潜在应用[2,3]。我们利用等离子增强的化学气相沉积法在熔石英基底上300℃条件下生长了富硅SiN薄膜,并详细研究了其二次谐波产生性质。我们利用1/2波片和1/4波片控制基频光偏振,并利用格兰棱镜控制SHG光偏振,得到不同偏振态组合及不同入射角情形下二次谐波信号的变化。
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Graphene is an exceptional material possessing a unique combination of high surface area,extraordinary mechanical,thermal,and chemical stability,and remarkable electronic and optical properties.Ion ad
基于二维环形光子晶体的完全带隙(TE与TM偏振的共同带隙),利用平面波展开法,研究了W1型线缺陷波导的偏振无关慢光特性。通过对结构参数(包括环形孔单元尺寸以及波导宽度等)与色散特性的关系进行系统地研究,得到了实现宽带、低群速度色散、偏振无关慢光的设计方案。计算结果表明,当调整临近波导缺陷前两排环形空气孔单元的内外半径时,能够获得一定带宽内线性的导模色散曲线。特别地,与TM偏振相比,TE偏振的色散特
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天线是无线通信、雷达探测等系统中最基本的组成部分，其方向性、增益和带宽等性能直接影响到通信或成像的质量。随着科学技术的不断进步，人们对天线各种性能的要求也越来越高，相对于线偏光而言，圆偏光的多极化性使得它在复杂环境下的抗干扰能力更强，能够获得相对稳定信号，圆极化天线受到越来越多的重视。
全息显示是真三维显示技术，本文介绍了一种新型的全息显示材料-纳米颗粒掺杂液晶，可以进行非像素化的高分辨率显示.采用光学相干对纳米颗粒掺杂液晶进行了光学材料的动态全息显示特性研究1.探究了不同记录角度对衍射效率的影响，由图像显示(图1)，当两束物光干涉角度较小时，衍射效率较高.并且随着角度的增大，衍射效率越来越低.纳米颗粒掺杂液晶材料的吸收谱线如图(2)所示，由曲线可知，该材料对蓝光较为敏感，用蓝光
我们研究了当以线偏振光照射金膜表面刻蚀的多段螺旋缝结构样品时,在表面等离子体激元(SPP)场中样品结构的中心区域所形成的类光学格子图样。样品分别是沿螺旋线分布刻蚀金膜表面制备的五段、六段和七段的弧形缝结构。基于先前研究工作中得到的金膜激发参数1,2和等离子体场中惠更斯-菲涅尔理论基础3,我们从理论上分析了这类金膜上缝结构受光照射激发的SPP光场图样并进行了数值模拟计算。
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