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Bi2MoO6作为一种新型无金属光催化材料，由于其化学稳定性以及制备成型工艺简单等特点，成为目前光催化领域研究的新宠。但由于钼酸铋在降解污染物过程中存在较高的电子空穴复合率问题，使得这一新型的催化剂仍然不能投入实际的应用生产中去。针对以上问题，本课题组分别采用两种方法对Bi2MoO6的光催化性能加以改进，分别是通过溶液超声分散的方法合成了具有异质结构的g-C3N4/Bi2MoO6半导体复合光催化剂：采用化学沉积以及光还原法合成Ag/AgBr-Bi2MoO6复合光催化剂。实验发现复合光催化剂可显著提高单一半导体的可见光活性。光催化活性提高的主要原因是通过改变光生电子空穴的迁移路径，有效提高电子空穴的分离效率，进而提高光催化性能。